Caracterización, ensayos y mediciones
Con su infraestructura única en el país y sus equipos de profesionales altamente calificados, CNEA posee una base sólida para abordar las necesidades de distintos sectores productivos, aportando soluciones innovadoras y brindando una amplia gama de servicios y ensayos.
| Nombre del servicio | Enlace |
|---|---|
| Ensayos de inmunidad. Ante interferencia electromagnética (IEC 61.000 4-2, 4-4, 4-5, 4-6). |
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| Ensayos de descarga electrostática | Solicitar |
| Estudios y análisis de emisión de radiofrecuencias | Solicitar |
| Estudios y análisis de inmunidad radiada a interferencias de radiofrecuencias | Solicitar |
| Ensayos de tensión resistida o rigidez dieléctrica a cables según norma IEEE. | Solicitar |
| Medición de resistencia. De aislación de cables y equipos eléctricos. |
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| Ensayos de seguridad eléctrica. Calidad de energía y compatibilidad con la red de inversores fotovoltaicos para conexión a red de baja tensión |
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| Caracterizaciones electrónicas de dispositivos. Como medidores de impedancia, generadores de tensión o corriente, electrómetros y otros. |
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| Envejecimiento térmico acelerado de equipos y componentes. | Solicitar |
| Desarrollo de sistemas predictivo para detección de fallas. | Solicitar |
| Servicio de ingeniería y selección de elastómeros y sellos. | Solicitar |
| Diseño, fabricación, ensayo y calificación de sensores fotovoltaicos de radiación solar. | Solicitar |
| Fabricación de dispositivos electrónicos basados en silicio cristalino. | Solicitar |
| Mediciones de reflectividad y transmitancia. De muestras en el intervalo 300-2500nm. |
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| Mediciones de respuesta espectral (RE). Mediciones de curvas I-V, Medición automática de la respuesta espectral de dispositivos monojuntura de silicio cristalino (Si) y de multijunturas basadas en elementos III-V de la tablaperiódica de los elementos (InGaP, GaAs,Ge) según normas ASTM e IRAM. |
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| Mediciones de vida media de portadores de muestras semiconductoras y celdas solares. Por el método de decaimiento de la fotoconductividad (Photo-Conductance-Decay, PCD y Quasi-Steady-State- Photo-Conductance Decay, QSSPCD). |
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| Optimización mediante simulación numérica. Fabricación, caracterización y ensayo de materiales y dispositivos basados en Silicio (Si) cristalino, compuestos III-V de la tabla periódica y perovskitas. |
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| Estudios de impacto. Del sistema energético sobre el ambiente, del cambio climático y los fenómenos meteorológicos extremos sobre el sistema energético. | Solicitar |
| Identificación y cuantificación del aporte al deterioro de la calidad del aire. De fuentes locales y regionales de contaminantes gaseosos y partículas en suspensión. |
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| Caracterización electroquímica y eléctrica. | Solicitar |
| Reflectografía infrarroja. | Solicitar |
| Georadar en estructuras de hormigón y ultrasonido en hormigón. | Solicitar |
| Ensayos de vacío con espectrómetro de masa. | Solicitar |
| Radiografía digital en tuberías con aislación. | Solicitar |
| Envejecimiento térmico acelerado. De muestras y equipos. |
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| Análisis de falla de elastómeros. | Solicitar |
| Ensayos de tracción y compresión. Mediante condiciones controladas de temperatura en polímeros y metales. |
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| Simulación bajo condiciones controladas de presión y temperatura. Para calificación de equipos o sus elementos. |
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